บริษัทSK Hynix ประกาศสร้างการ์ดหน่วยความจำหรือที่เรียกว่าRAM ที่มีความเร็วถึง128GB(กิ้กกะไบท์)ซึ่งมีต้นแบบมาจากรุ่นDDR48Gb(กิ้กกะบิ้ท ) โดยใช้20nm class technology
RAM128GBตัวใหม่นี้จะใช้ประโยชน์จากTSV (Through-Silicon-Via) โดยจะทำงานอยู่ทความเร็ว2,133 Mbps 64-bit l/Oซึ่งสามารถประมวลผลข้อมูลได้17GB ต่อวินาทีซึ่งใช้กำลังไฟเพียงแค่1.2Vซึ่งต่ำกว่าตัวDDR3อยู่ถึง1.35V โดยทางSK Hynixวางแผนไว้ว่าจะเริ่มการผลิตในช่วงปีหน้านี้ครับ
Sung Joo Hung รองประธานอาวุโสของDRAM Development กล่าวว่าการพัฒนาRAM ที่มีความเร็วมากถึง128 GBDDR4มีความสำคัญมากต่อการเปิดตลาดในอนาคตอีกทั้งบริษัทจะมีโอกาสที่จะแข่ง ขันมากขึ้นเมื่อสามารถพัฒนาRAM ที่มีความเร็วสูงแต่ใช้พลังงานต่ำ
การตลาดของDRAM จะเพิ่มขึ้น37%จนกระทั่งถึงปี2018 Interface ใหม่ของDDR4คาดว่าจะได้รับการรับรองจากกลุ่มลูกค้าในปีนี้และจะผลิตในช่วงปี 2015 สุดท้ายคาดว่าจะนำเข้าอย่างเป็นทางการช่วงปี2016 ครับราคาจะมากน้อยแค่ไหนก็ต้องรอลุ้นกันล่ะครับ เรียกได้ว่าจัดเต็มสำหรับคนชื่นชอบความเร็วเลยล่ะครับ
ที่มา TECHPOWERUP
http://www.i3.in.th/content/view/8354
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น